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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
65
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
2709
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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