RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 35

Rund um 23% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.7 15.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 11.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2545 2767

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns