RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2545
2767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link