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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 23% 低遅延
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 11.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.2 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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