Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 35

Intorno 23% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.7 15.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.8 11.2

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2545 2767

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns