RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
AMD R948G2806U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R948G2806U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
60
Rund um -140% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
10.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2802
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
AMD R948G2806U2S 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link