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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs AMD R948G2806U2S 8GB

总分
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

总分
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AMD R948G2806U2S 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,168.2 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
AMD R948G2806U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R948G2806U2S 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 60
    左右 -140% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    4,595.2 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    2,168.2 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    941 left arrow 2802

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较

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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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内存RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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内存RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Maxsun MSD44G24Q0 4GB
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