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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
104
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
46
读取速度,GB/s
3,192.0
10.5
写入速度,GB/s
2,404.5
8.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2368
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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