RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против AMD R948G2806U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
AMD R948G2806U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R948G2806U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
60
Около -140% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2802
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
AMD R948G2806U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link