Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
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Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,168.2 left arrow 12.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 60
    Rund um -94% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    60 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,595.2 left arrow 15.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,168.2 left arrow 12.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    941 left arrow 2316
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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