RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2316
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link