RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
60
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3637
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link