RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
60
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
28
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3637
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link