RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
97
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
97
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
8.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1632
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link