RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
97
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
97
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
1632
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link