RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
97
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
97
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1632
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link