RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
97
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
97
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1632
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link