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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
60
Rund um -233% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
16.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3536
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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