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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
60
Intorno -233% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
18
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3536
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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