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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
60
Por volta de -233% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
16.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3536
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
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