RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
60
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
10.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2159
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link