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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
60
左右 -54% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
39
读取速度,GB/s
4,595.2
14.3
写入速度,GB/s
2,168.2
10.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2159
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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