RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
60
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2159
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link