RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
73
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1843
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link