RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
AMD R748G2606U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R748G2606U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
61
65
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
2,784.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2028
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link