RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
61
65
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
61
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2028
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link