RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
65
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
61
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2028
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link