RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3706
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link