RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3706
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link