RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3706
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link