RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
65
Rund um -160% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2680
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link