RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
65
Autour de -160% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2680
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link