RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
65
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3116
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link