RAM-Vergleich Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 17.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

34 56

Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.5 1,501.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 4200

Rund um 4.05 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

381 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns