RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
56
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
3606
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link