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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Confronto
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
56
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,501.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
34
Velocità di lettura, GB/s
3,161.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,501.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
381
3606
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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