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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
59
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,559.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,505.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,559.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
407
2812
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