Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 15.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 59
    Rund um -74% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.9 left arrow 1,559.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 5300
    Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 34
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,505.3 left arrow 15.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,559.1 left arrow 11.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    407 left arrow 2812
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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