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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
59
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,559.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
34
Velocità di lettura, GB/s
3,505.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,559.1
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
407
2812
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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