RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,559.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,505.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,559.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
407
3100
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Lenovo 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Jinyu 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link