RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3741
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link