RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
77
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
9.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2520
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link