RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3312
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link