RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2944
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link