RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
77
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link