RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2635
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link