RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3625
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link