RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
17.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
4008
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link