RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
77
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3120
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link