RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
77
Rund um -250% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2340
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link