RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3446
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link