RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
77
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2755
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link